Infineon HEXFET IRFH5304TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 79 A 46 W, 8-Pin PQFN 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 130-0982
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5304TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
7,50 €
(ohne MwSt.)
8,90 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,75 € | 7,50 € |
| 50 - 90 | 0,712 € | 7,12 € |
| 100 - 240 | 0,642 € | 6,42 € |
| 250 - 490 | 0,577 € | 5,77 € |
| 500 + | 0,548 € | 5,48 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0982
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5304TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 79 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PQFN 5 x 6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.35V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.35V | |
| Verlustleistung max. | 46 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 41 nC @ 15 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 79 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PQFN 5 x 6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6,8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.35V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.35V | ||
Verlustleistung max. 46 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 41 nC @ 15 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Serie HEXFET | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||