Infineon HEXFET IRFH6200TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 130-0983
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH6200TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 130-0983
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH6200TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 156 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 155 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 156 W | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 155 nC @ 4,5 V | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie HEXFET | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||