Infineon HEXFET IRFS4321TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 86 A 350 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 130-1004
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4321TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS4321TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 86 A 350 W, 7-Pin D2PAK-7

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Herst. Teile-Nr.:: IRFS4321TRL7PP
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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	86 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	D2PAK-7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	14,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	350 W
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	9.65mm
Serie	HEXFET
Betriebstemperatur min.	–55 °C