Infineon DirectFET, HEXFET IRL6297SDTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 15 A 25 W, 3 + Tab-Pin SA
- RS Best.-Nr.:
- 130-1012
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL6297SDTRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 130-1012
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL6297SDTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SA | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 25 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 3.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Länge | 4.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| Höhe | 0.62mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SA | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6,9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 25 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 3.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Länge 4.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 54 nC @ 10 V | ||
Höhe 0.62mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||