Infineon HEXFET IRLR3636TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
130-1022
Herst. Teile-Nr.:
IRLR3636TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

99 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

143 W

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

33 nC @ 4,5 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.39mm

Höhe

6.22mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

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