Texas Instruments NexFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 10 A 8 W, 8-Pin VSON-CLIP
- RS Best.-Nr.:
- 133-0142
- Herst. Teile-Nr.:
- BQ500101DPCT
- Marke:
- Texas Instruments
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- 133-0142
- Herst. Teile-Nr.:
- BQ500101DPCT
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | VSON-CLIP | |
| Serie | NexFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.7V | |
| Verlustleistung max. | 8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Zwei Sockel | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Länge | 4.6mm | |
| Breite | 3.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.24V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße VSON-CLIP | ||
Serie NexFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.7V | ||
Verlustleistung max. 8 W | ||
Transistor-Konfiguration Zwei Sockel | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Länge 4.6mm | ||
Breite 3.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.24V | ||