Texas Instruments NexFET CSD19537Q3T N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 53 A 83 W, 8-Pin VSON-CLIP
- RS Best.-Nr.:
- 133-0155
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19537Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | 1,384 € | 6,92 € |
| 15 - 45 | 1,226 € | 6,13 € |
| 50 - 245 | 1,028 € | 5,14 € |
| 250 - 495 | 0,826 € | 4,13 € |
| 500 + | 0,73 € | 3,65 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-0155
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19537Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 53 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | VSON-CLIP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16,6 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.6V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.6V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 3.4mm | |
| Breite | 3.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Serie | NexFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 53 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße VSON-CLIP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16,6 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.6V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.6V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 3.4mm | ||
Breite 3.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 44 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Serie NexFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||