Texas Instruments NexFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 70 A 6 W, 8-Pin LSON-CLIP
- RS Best.-Nr.:
- 133-0158
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87335Q3DT
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 133-0158
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87335Q3DT
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 70 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | LSON-CLIP | |
| Serie | NexFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.75V | |
| Verlustleistung max. | 6 W | |
| Transistor-Konfiguration | Zwei Sockel | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC, 19 nC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 3.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 70 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße LSON-CLIP | ||
Serie NexFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.75V | ||
Verlustleistung max. 6 W | ||
Transistor-Konfiguration Zwei Sockel | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11 nC, 19 nC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 3.4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||