Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 37 A 30 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 133-2812P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN11006NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
3,08 €
(ohne MwSt.)
3,66 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 + | 0,154 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-2812P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN11006NL,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 37 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 17 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 30 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 3.1mm | |
| Breite | 3.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 37 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 17 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 30 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 3.1mm | ||
Breite 3.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 23 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
MOSFET-Transistoren, Toshiba