Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A 18 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 133-2813
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN22006NH,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,224 € | 4,48 € |
| 100 - 180 | 0,202 € | 4,04 € |
| 200 - 980 | 0,187 € | 3,74 € |
| 1000 - 1980 | 0,18 € | 3,60 € |
| 2000 + | 0,175 € | 3,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-2813
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN22006NH,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 64 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 18 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 3.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 3.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 64 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 18 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 3.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 3.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||