ROHM RSD100N10 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin SOT-428
- RS Best.-Nr.:
- 133-2836
- Herst. Teile-Nr.:
- RSD100N10TL
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 133-2836
- Herst. Teile-Nr.:
- RSD100N10TL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | RSD100N10 | |
| Gehäusegröße | SOT-428 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 147 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Breite | 5.5mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie RSD100N10 | ||
Gehäusegröße SOT-428 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 147 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Breite 5.5mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Höhe 2.3mm | ||
- Ursprungsland:
- JP