ROHM RUF020N02 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 133-2846
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF020N02TL
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Marke:
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | RUF020N02 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 800 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Länge | 2.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 1.8mm | |
| Höhe | 0.82mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie RUF020N02 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 240 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 800 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Länge 2.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2 nC @ 4,5 V | ||
Breite 1.8mm | ||
Höhe 0.82mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
- Ursprungsland:
- JP