ROHM RV1C001ZP RV1C001ZPT2L P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 133-2849
- Herst. Teile-Nr.:
- RV1C001ZPT2L
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
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- 133-2849
- Herst. Teile-Nr.:
- RV1C001ZPT2L
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Serie | RV1C001ZP |
| Gehäusegröße | DFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
| Verlustleistung max. | 100 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V |
| Breite | 0.85mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 0.65mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 0.34mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 133-2849
- Herst. Teile-Nr.:
- RV1C001ZPT2L
- Marke:
- ROHM