ROHM RW1C025ZP P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,5 A 700 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 133-2854
- Herst. Teile-Nr.:
- RW1C025ZPT2CR
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- RW1C025ZPT2CR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Serie | RW1C025ZP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 700 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,5 nC @ 4,5 V | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Serie RW1C025ZP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 240 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 700 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10,5 nC @ 4,5 V | ||
Höhe 0.6mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||