ROHM RYC002N05 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
133-2856
Herst. Teile-Nr.:
RYC002N05T316
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

RYC002N05

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

350mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.5 mm

Höhe

1.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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