ROHM RYC002N05 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 500 Stück (geliefert auf Rolle)*

61,50 €

(ohne MwSt.)

73,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 1.300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
500 - 9000,123 €
1000 - 49000,112 €
5000 - 99000,097 €
10000 +0,094 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
133-2856P
Herst. Teile-Nr.:
RYC002N05T316
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

RYC002N05

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

350mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Breite

1.5 mm

Höhe

1.15mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor