ROHM QS6J11 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
- RS Best.-Nr.:
- 133-3222
- Herst. Teile-Nr.:
- QS6J11TR
- Marke:
- ROHM
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 133-3222
- Herst. Teile-Nr.:
- QS6J11TR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V | |
| Gehäusegröße | TSMT-6 | |
| Serie | QS6J11 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Zwei Sockel | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,5 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 1.8mm | |
| Länge | 3mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 12 V | ||
Gehäusegröße TSMT-6 | ||
Serie QS6J11 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Zwei Sockel | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,5 nC @ 4,5 V | ||
Breite 1.8mm | ||
Länge 3mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.95mm | ||
- Ursprungsland:
- JP