ROHM RQ3E075AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18 A 15 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 133-3291
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3E075ATTB
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 133-3291
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3E075ATTB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Serie | RQ3E075AT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 33 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 15 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Breite | 3.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Serie RQ3E075AT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 33 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 15 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 21 nC @ 10 V | ||
Breite 3.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.85mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||