Teile-Nr.

ROHM RQ5H020SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT

RS Best.-Nr.:: 133-3302
Herst. Teile-Nr.:: RQ5H020SPTL
Marke:: ROHM

ROHM RQ5H020SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT

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125 - 225	0,356 €	8,90 €
250 - 1225	0,344 €	8,60 €
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RS Best.-Nr.:: 133-3302
Herst. Teile-Nr.:: RQ5H020SPTL
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	45V
	Gehäusegröße	TSMT
	Serie	RQ5H020SP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	280mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	9.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.95mm
	Breite	1.8 mm
	Länge	3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 45V
	Gehäusegröße TSMT
	Serie RQ5H020SP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.95mm
	Breite 1.8 mm
	Länge 3mm
	Automobilstandard Nein

ROHM RQ5H020SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT

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P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

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