DiodesZetex DMN2011UFDF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.2 A 2.1 W, 6-Pin UDFN

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RS Best.-Nr.:
133-3344
Herst. Teile-Nr.:
DMN2011UFDF-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

UDFN

Serie

DMN2011UFDF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.05 mm

Höhe

0.58mm

Länge

2.05mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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