DiodesZetex DMN90H2D2HCTI DMN90H2D2HCTI N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 6 A 40 W, 3-Pin TO-220AB

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
133-3383
Herst. Teile-Nr.:
DMN90H2D2HCTI
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

40 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20,3 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

16.27mm

Länge

10.46mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

4.9mm

Serie

DMN90H2D2HCTI

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel