Infineon OptiMOS 5 BSC026NE2LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 82 A 29 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
133-6581
Herst. Teile-Nr.:
BSC026NE2LS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

82 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

SuperSO

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

29 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

+16 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5.49mm

Breite

6.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

OptiMOS 5

Höhe

1.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MY