Infineon OptiMOS BSC032NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 84 A 37 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 133-6582
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC032NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5000 - 5000 | 0,51 € | 2.550,00 € |
| 10000 + | 0,481 € | 2.405,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 133-6582
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC032NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 84 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 37 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,7 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 5.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.35mm | |
| Serie | OptiMOS | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 84 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 37 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,7 nC @ 4,5 V | ||
Länge 5.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.35mm | ||
Serie OptiMOS | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
- Ursprungsland:
- MY