CoolMOS N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A 74 W, 3 + Tab-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
133-9796
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R800CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,4 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

1,76 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

74 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.9mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17,2 nC bei 10 V

Länge

10.65mm

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Serie

CoolMOS

Ursprungsland:
CN