Infineon CoolMOS IPA65R650CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10,1 A 86 W, 3 + Tab-Pin TO-220FP

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
133-9810
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R650CEXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10,1 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

86 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.9mm

Serie

CoolMOS

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Ursprungsland:
CN