CoolMOS P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A 24 W, 3 + Tab-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 133-9822
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K4P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 133-9822
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K4P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,1 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 24 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | +30 V | |
| Länge | 10.65mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,1 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 24 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. +30 V | ||
Länge 10.65mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V | ||
Breite 4.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Höhe 16.15mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
- Ursprungsland:
- CN