CoolMOS CE N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 33 W, 3+Tab-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 133-9861
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R650CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 133-9861
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R650CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3+Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 33 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.65mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3+Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 33 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.65mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 16.15mm | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN