Infineon OptiMOS 3 M BSZ100N03MSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 30 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
133-9875
Herst. Teile-Nr.:
BSZ100N03MSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TSDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

11,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

+20 V

Länge

3.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3 M

Höhe

1.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Ursprungsland:
MY