Infineon OptiMOS BSC032NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 84 A 37 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
133-9939
Herst. Teile-Nr.:
BSC032NE2LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

84 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

37 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

+20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5.35mm

Breite

6.35mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,7 nC @ 4,5 V

Höhe

1.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS

Ursprungsland:
MY