Vishay SUM50020E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 8-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
134-9701P
Herst. Teile-Nr.:
SUM50020E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

126 nC @ 10 V

Breite

9.65mm

Länge

10.41mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.82mm

N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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