Nexperia N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 200 mA, 350 mA 990 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- RS Best.-Nr.:
- 136-2144
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3008CBKS,115
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
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- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA, 350 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,8 Ω, 7,8 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 990 mW | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,52 nC @ 4,5 V, 0,55 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 2.2mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 mA, 350 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-88) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,8 Ω, 7,8 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 990 mW | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,52 nC @ 4,5 V, 0,55 nC @ 4,5 V | ||
Länge 2.2mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
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