ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 80 A 600 W, 4-Pin Six Pack

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RS Best.-Nr.:
144-2256
Herst. Teile-Nr.:
BSM080D12P2C008
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

Six Pack

Serie

BSM

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.6V

Verlustleistung max.

600 W

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

SiC

Länge

122mm

Breite

45.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Höhe

17mm

Ursprungsland:
JP
Das ROHM BSM080D12P2C008 ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus einem Sic-DMOSFET und einem Sic-SBD. Dieses Leistungsmodul bietet einen geringen Überspannungsdruck, einen niedrigen Schaltverlust und eine hohe Geschwindigkeitsschaltung. Das Sic-Halbbrückenmodul ist geeignet für Anwendungen wie z. B. Wechselrichter-Motorantriebe, Photovoltaik, Windenergie-Induktionsheizgeräte.

Niedrige Überspannung

Geringe Schaltverluste

Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich

Geringere Abhängigkeit von der Temperatur