Toshiba P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS

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RS Best.-Nr.:
144-5185
Herst. Teile-Nr.:
TJ9A10M3,S4Q(M
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

9 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220SIS

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

170 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

19 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

+20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

47 @ -10 V nC

Breite

4.5mm

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Höhe

15mm

Ursprungsland:
JP

MOSFET-P-Kanal, TJ9A-Serie, Toshiba



MOSFET-Transistoren, Toshiba