Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 40 W bei 25 °C, 3-Pin TO-220SIS

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RS Best.-Nr.:
144-5256
Herst. Teile-Nr.:
TK8A50D,S5Q(J
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

TO-220SIS

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,85 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

40 W bei 25 °C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

+30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16 nC @ 10 V

Höhe

15mm

Diodendurchschlagsspannung

-1.7V