Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 20 A 42 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 145-1791
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIZ34GPBF
- Marke:
- Vishay
Eingestellt
- RS Best.-Nr.:
- 145-1791
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIZ34GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 50 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 42 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 50 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 42 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 46 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 9.8mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN