onsemi NTP6412ANG N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 58 A 167 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-3338
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP6412ANG
- Marke:
- ON Semiconductor
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
61,60 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,232 € | 61,60 € |
| 100 - 200 | 0,956 € | 47,80 € |
| 250 - 450 | 0,922 € | 46,10 € |
| 500 - 950 | 0,81 € | 40,50 € |
| 1000 + | 0,687 € | 34,35 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-3338
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP6412ANG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 58 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 167 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,5 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 4.82mm | |
| Länge | 10.28mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 58 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 18,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 167 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13,5 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 4.82mm | ||
Länge 10.28mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 15.75mm | ||