onsemi 3LP01C-TB-E P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 mA 250 mW, 3-Pin CP
- RS Best.-Nr.:
- 145-3932
- Herst. Teile-Nr.:
- 3LP01C-TB-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
210,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,07 € | 210,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-3932
- Herst. Teile-Nr.:
- 3LP01C-TB-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | CP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 54 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.4V | |
| Verlustleistung max. | 250 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,43 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße CP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 54 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.4V | ||
Verlustleistung max. 250 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,43 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN