onsemi QFET FQA65N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 310 W, 3-Pin TO-3PN

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RS Best.-Nr.:
145-4301
Herst. Teile-Nr.:
FQA65N20
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

65 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

32 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

310 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

170 nC @ 10 V

Breite

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.8mm

Höhe

18.9mm

Serie

QFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C