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    onsemi SuperFET II FCPF650N80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 30,5 W, 3-Pin TO-220F

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    RS Best.-Nr.:
    145-4430
    Herst. Teile-Nr.:
    FCPF650N80Z
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.8 A
    Drain-Source-Spannung max.800 V
    SerieSuperFET II
    GehäusegrößeTO-220F
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.530 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2.5V
    Verlustleistung max.30,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Länge10.36mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite4.9mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs27 nC @ 10 V
    Höhe16.07mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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