onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,6 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
145-4617
Herst. Teile-Nr.:
FQU2N100TU
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,6 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Serie

QFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Länge

6.8mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

7.57mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C