onsemi QFET FQP11P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 11,4 A 53 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 145-4634
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP11P06
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 145-4634
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP11P06
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 175 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 53 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 15.38mm | |
| Serie | QFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 11,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 175 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 53 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.7mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 15.38mm | ||
Serie QFET | ||