Texas Instruments FemtoFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,6 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
- RS Best.-Nr.:
- 145-6843
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25483F4T
- Marke:
- Texas Instruments
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | PICOSTAR | |
| Serie | FemtoFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,07 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V | |
| Verlustleistung max. | 500 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 1.04mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,959 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 0.64mm | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße PICOSTAR | ||
Serie FemtoFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,07 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.7V | ||
Verlustleistung max. 500 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 1.04mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,959 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 0.64mm | ||
Höhe 0.35mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY