Infineon HEXFET IRF7855PBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
145-8606
Herst. Teile-Nr.:
IRF7855PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.9V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26 nC @ 10 V

Länge

5mm

Breite

4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.5mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TH

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


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