Infineon OptiMOS™ 3 IPP072N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-8635
Herst. Teile-Nr.:: IPP072N10N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPP072N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

1,133 €

(ohne MwSt.)

1,348 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	1,133 €	56,65 €
100 - 200	0,918 €	45,90 €
250 - 450	0,861 €	43,05 €
500 - 950	0,816 €	40,80 €
1000 +	0,782 €	39,10 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 145-8635
Herst. Teile-Nr.:: IPP072N10N3GXKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	15.95mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	51 nC @ 10 V
Länge	10.36mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	4.57mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C