Infineon Einfach OptiMOS™ 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 80 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-8635
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP072N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-8635
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP072N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20/20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 15.95 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20/20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 15.95 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
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