Infineon CoolMOS CFD IPW65R110CFDFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 31 A 277,8 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
145-8657
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R110CFDFKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

31 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

110 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

277,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

16.13mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

118 nC @ 10 V

Breite

5.21mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS CFD

Höhe

21.1mm

Ursprungsland:
MY