Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 170 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
145-8672
Herst. Teile-Nr.:
IRF2204SPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

170 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

200 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

130 nC @ 10 V

Breite

9.65mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

Infineon MOSFET der HEXFET-Serie, 170 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200 W maximale Verlustleistung - IRF2204SPBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Mit einem kontinuierlichen Drain-Strom von 170 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V bewältigt er die Leistungsanforderungen in anspruchsvollen Umgebungen mit hoher Zuverlässigkeit. Seine Struktur ist für hohe Temperaturen und hohe Ströme geeignet, was es zu einer bevorzugten Wahl für Fachleute aus dem elektrischen und mechanischen Bereich macht.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Einschaltwiderstand erhöht die Effizienz und minimiert die Wärmeentwicklung
• Unterstützt hohen kontinuierlichen Drainstrom für verschiedene Anwendungen
• Arbeitet bei Temperaturen von bis zu 175°C und ist vielseitig einsetzbar
• Oberflächenmontiertes Gehäuse ermöglicht kompakte Schaltungsdesigns
• Schnelle Schaltfähigkeit verbessert die Gesamtleistung der Schaltung
• Verbesserungsmodus für verbesserte Betriebsstabilität

Anwendungsbereich


• Einsatz in industriellen Motorantrieben für effektives Energiemanagement
• Optimiert für Automatisierungsanlagen, die eine hohe Strombelastung erfordern
• Geeignet für Leistungswandler in verschiedenen elektronischen Systemen
• Häufig eingesetzt in Power-Management-Lösungen in der Elektroindustrie

Welchen Vorteil hat die Verwendung dieses MOSFETs bei Hochstromanwendungen?


Sein Design erlaubt einen kontinuierlichen Ableitstrom von 170 A, wodurch die Leistung unter schweren Lasten bei minimaler Wärmeentwicklung optimiert wird.

Wie wirkt sich der Wärmewiderstand dieses Geräts auf die Leistung aus?


Mit einem Wärmewiderstand von 0,45°C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse gewährleistet er eine wirksame Wärmeableitung, so dass die Funktionsfähigkeit auch bei hohen Temperaturen gewährleistet ist.

Kann es mit unterschiedlichen Umweltbedingungen umgehen?


Ja, sein Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C macht ihn sowohl für Umgebungen mit niedrigen als auch mit hohen Temperaturen geeignet.

Welche Auswirkungen hat die Verwendung eines oberflächenmontierten Gehäuses?


Das D2PAK-Gehäuse ermöglicht eine effiziente Nutzung des Platzes auf der Leiterplatte und erleichtert die Erstellung kompakter Designs mit hoher Packungsdichte ohne Leistungseinbußen.

Ist es für wiederkehrende Lawinenbedingungen geeignet?


Ja, er unterstützt wiederholte Avalanche-Bewertungen und gewährleistet so einen zuverlässigen Betrieb in Schaltkreisen, in denen es zu kurzzeitigen Spannungsspitzen kommen kann.