Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 44 A 320 W, 3-Pin TO-220AB

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Eingestellt
RS Best.-Nr.:
145-8693
Herst. Teile-Nr.:
IRFB38N20DPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

44 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

54 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

320 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.54mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Breite

4.69mm

Höhe

19.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 43A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300W maximale Verlustleistung - IRFB38N20DPBF


Dieser MOSFET ist für einen hohen Wirkungsgrad und ein effektives Wärmemanagement in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Sein robustes N-Kanal-Design im Anreicherungsmodus ermöglicht beträchtliche kontinuierliche Drain-Ströme und gewährleistet gleichzeitig einen niedrigen On-Widerstand. Dieses Bauteil eignet sich hervorragend für Power-Management-Lösungen und verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit in zahlreichen elektronischen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 43A

• Bietet einen niedrigen Rds(on) von 54mΩ zur Minimierung von Energieverlusten

• Kann Drain-Source-Spannungen von bis zu 200 V standhalten

• Hohe Betriebstemperaturtoleranz im Bereich von -55°C bis +175°C

• Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen mit geringer Gate-Ladung

• Effektive Integration in DC-DC-Wandler und Stromversorgungen

Anwendungsbereich


• Einsatz in Hochfrequenz-DC-DC-Wandlern für effizientes Energiemanagement

• Geeignet für in Plasmabildschirmen

• Eingesetzt in industriellen Automatisierungssystemen, die konsistentes Schalten erfordern

• Einsatz in Stromversorgungen, bei denen die thermische Effizienz entscheidend ist

• Ideal für Elektronikdesigns, die eine hohe Leistung bei erhöhten Temperaturen erfordern

Welche Stromstärken kann er bei Hochtemperaturanwendungen verarbeiten?


Er kann bis zu 30 A kontinuierlichen Drainstrom bei 100 °C bewältigen und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung bei hohen Temperaturen.

Wie verhält sich diese Komponente bei Hochfrequenzanwendungen?


Er ist ausdrücklich für Hochgeschwindigkeitsschaltungen konzipiert und zeichnet sich durch niedrige Gate-Ladung und minimale Verzögerungszeiten aus, wodurch er für solche Anwendungen geeignet ist.

Welche Verpackungsmöglichkeiten gibt es für dieses Produkt?


Er ist in einem TO-220AB-Gehäuse erhältlich, das eine Durchsteckmontage zur einfachen Integration in elektronische Schaltungen ermöglicht.

Kann dies in Verbindung mit anderen Geräten zur Energieverwaltung verwendet werden?


Ja, er wird häufig zusammen mit verschiedenen DC-DC-Wandlern eingesetzt, um die Effizienz von Stromversorgungssystemen zu verbessern.

Welche Maßnahmen sind bei der Installation zu treffen?


Stellen Sie sicher, dass ein angemessenes Wärmemanagement, einschließlich Kühlkörper, vorhanden ist, um optimale Sperrschichttemperaturen während des Betriebs zu gewährleisten.