Infineon CoolMOS C6 IPP60R074C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A 480,8 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

338,15 €

(ohne MwSt.)

402,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +6,763 €338,15 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
145-8730
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R074C6XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

58 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

74 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

480,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

138 nC @ 10 V

Breite

15.95mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

4.57mm

Serie

CoolMOS C6

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN