Infineon CoolMOS C6 IPP60R190C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-8732
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R190C6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-8732
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R190C6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 151 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.36mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 15.95mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 151 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.36mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 15.95mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 63 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.