Infineon OptiMOS FD N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-8744
Herst. Teile-Nr.:: IPP220N25NFDAKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS FD N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 145-8744
Herst. Teile-Nr.:: IPP220N25NFDAKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	61A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	OptiMOS FD
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	22mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	65nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.36mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.57mm
	Höhe	15.95mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie OptiMOS FD
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.36mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.57mm
	Höhe 15.95mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS MOSFET der Serie FD, 61 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300 W maximale Verlustleistung - IPP220N25NFDAKSA1

Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, die ein effizientes Power-Management erfordern. Mit seiner N-Kanal-Enhancement-Mode-Konfiguration und seinen robusten Spezifikationen spielt er eine wichtige Rolle in Bereichen wie Automatisierung, Elektronik und elektrische Systeme. Er bietet einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 61 A und eine Durchbruchspannung von 250 V und bietet Zuverlässigkeit und thermische Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger Einschaltwiderstand erhöht die Energieeffizienz im Betrieb

• Hohe Strombelastbarkeit unterstützt eine Reihe von Anwendungen

• Erhöhte Betriebstemperatur von bis zu +175°C erhöht die Vielseitigkeit

• Optimiert für harte Kommutierung, was zu Robustheit und Langlebigkeit beiträgt

• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Vorschriften und fördert die Umweltfreundlichkeit

• Effiziente Gate-Ladungscharakteristik gewährleistet effektives Schalten

Anwendungsbereich

• Einsatz in Leistungsumwandlungsschaltungen für Automatisierungsgeräte

• Ideal für leistungsstarke Motorantriebe in Industriemaschinen

• Häufig verwendet in Stromversorgungen für elektronische Geräte

• Geeignet für Energiemanagementsysteme in Kraftfahrzeugen

• Eingesetzt in Systemen für erneuerbare Energien für Wechselrichter

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?

Er kann eine maximale Verlustleistung von 300 W bewältigen, was die Leistung in Szenarien mit hoher Belastung gewährleistet.

Wie verhält sie sich in Umgebungen mit hohen Temperaturen?

Dieser MOSFET kann im Dauerbetrieb bei Temperaturen bis zu +175°C arbeiten und ist somit für extreme Bedingungen geeignet.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?

Ja, der Baustein kann gepulste Drain-Ströme von bis zu 244 A bewältigen, was für transiente Lastanwendungen von Vorteil ist.

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?

Ein niedriger Rds(on) von 22mΩ verringert die Verlustleistung und erhöht die Effizienz im Betrieb, was für energieempfindliche Anwendungen von entscheidender Bedeutung ist.

Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?

Der Baustein verfügt über ein TO-220-Gehäuse und ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was das Wärmemanagement in Schaltungsdesigns unterstützt.