Infineon OptiMOS FD IPP220N25NFDAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-8744
Herst. Teile-Nr.:: IPP220N25NFDAKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS FD IPP220N25NFDAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 145-8744
Herst. Teile-Nr.:: IPP220N25NFDAKSA1
Marke:: Infineon

OptiMOS FD Power Transistor 250V IPP220N25NFD
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	61 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Serie	OptiMOS FD
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	22 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	65 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.57mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.36mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	15.95mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon OptiMOS FD IPP220N25NFDAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™ FD

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